古装边摸边做大尺度床戏-ass性经典少妇下部pics-二攻一受4p嗯啊巨肉寝室男男,亚洲一区和二区,国产精品夜夜嗨视频免费视频,久久久久免费精品视频

400 Gb/s DR4的硅光子發射器

AL53-DR4發射器是一種硅光子集成電路(PIC),由四個并行的電光Mach-Zehnder調制器組成,能夠產生四個獨立的100 Gb/s PAM4光信號。該裝置設計為僅使用一個CW輸入激光器作為光源,并包括一個一至四路光分路器,用于將未經調制的輸入光平均分配給四個Mach-Zehnder調制器,如左圖所示

由于Mach-Zehnder調制器對驅動電壓的要求較低,且電氣帶寬較高,因此可以直接用集成了驅動放大器的硅PAM4 ASIC的差分輸出信號來驅動Mach-Zehnder調制器,提供 ≥2.2 V p-p的差分驅動幅度。無需額外的驅動放大器。

Mach-Zehnder調制器的差分RF驅動信號(Vp和Vn)可采用直流耦合或交流耦合方式。無論是哪種情況,都必須在調制器的低速端子上施加直流偏置電壓(Vbias)。

發射器的四個光輸出端口設計為允許直接對接耦合到符合G.652標準的單模光纖。來自激光器的光輸入信號通過透鏡耦合或通過直接對接耦合到保偏光纖進入發射器。

所有與發射器的電氣連接均通過焊線進行(包括高速調制器驅動信號)。

產品特點

AL53-DR4 PIC的主要特性

特性

描述

備注

芯片尺寸

2.5 mm × 6.185 mm(厚度400 μm ± 5 μm)

無輸出光纖

光輸入端口

設計用于單個外部激光器的透鏡耦合

芯片上有1 x 4分路器

光輸出端口

設計用于直接對接耦合到符合G.652光纖

針對LBL SMF進行了優化

光信號偏振

TE

輸入和輸出

調制器驅動信號(Vp和Vn)


差分、直流或交流耦合


100 Ω阻抗

RF偏置電壓(Vbias)

片上添加(參見圖2)

所有調制器通用


RF直流偏置電壓(Voffs)


片上添加(參見圖2)

通用于所有調制器(僅與交流耦合Vp和Vn一起使用)

Mach-Zehnder偏置控制

熱電移相器

每個調制器

激光輸入監控探測器

片上分接MPD

-

TX輸出監控探測器

3個片上MPD(兩個互補)

每個調制器

電連接

焊線焊盤

對于RF和低速信號

2 - 與差分Mach-Zehnder調制器的電氣連接

主要應用
  • 無縫對接現有IM-DD鏈路:產品兼容主流強度調制-直接檢測(IM-DD)架構,可直接集成于現有光模塊設計。
  • 支持LPO(低功耗光互聯):滿足數據中心對低功耗、高能效的嚴苛要求。
  • 擴展性強:技術可平滑升級至800G/通道及以上,為未來1.6Tb/s甚至更高速率預留空間。
參數

AL53-DR4發射器旨在滿足400GBASE-DR4發射特性的性能要求。光學和電子設備規格見表2。

表2 -AL53-DR4 PIC規格


參數


單位


條件

最小

典型值

最大

符號率

GBD

-

53

-

對于PAM4信號

工作波長

nm

1304

-

1318

規格適用的波長范圍

電光帶寬

GHz

25

27

30

3 dB滾降頻率(無電子預補償)

調制器消光比

dB

22

27

-

直流測量

光纖到光纖的光插入損耗(IL)


dB


13.5


14.5


16.0

對于每一通道,包括光纖耦合和所有片上損耗;在MZM的最大傳輸

任意兩個通道之間的插入損耗

dB

-

-

1

所有輸出通道之間的最大差異(相同波長)

TX輸出端口處的光反射率

dB

-

?34

?27

所有四個輸出端口的最大值

MZ調制器Vπ

V

5

5.7

6.5

直流;差分驅動

RF阻抗

Ω

89

91

93

平均高達40 GHz

電回波損耗(S11)

dB

-

-

?19

最大值高達40 GHz

任意兩通道之間的傾斜度

ps

-

-

TBD

最大片上光電差分延遲

TOPS的Vset

V

2

-

6

MZM的第一個正交點

TOPS的Iset

mA

5

-

10

MZM的第一個正交點

TOPS的Pπ = Vπ ?Iπ

mW

-

16.5

-

第一和第二個空值之間

TOPS的電阻率

Ω

550

-

610

無外加電壓

輸出分接監控光電探測器的響應度

mA/W

-

0.5

-


對于 “MPD L”和 “MPD R”,參考光輸入功率

工作溫度范圍

°C

-5

-

75


工作相對濕度范圍(非冷凝)

%RH

5

-

85


注:AL53-DR4發射器PIC預期符合以下性能規格:

· TX平均輸出功率≥ 1 dBm,輸入激光功率≥ 20 dBm(最大IL);

· 外調制消光比(ER outer)≥ 3.5 dB,差分PAM4輸入信號≥ 2.5 V p-p(最大Vπ)。

上一條:
下一條: 800 Gb/s DR8的高帶寬硅光子發射器
Top