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Aloe Semiconductor

800 Gb/s DR8的高帶寬硅光子發射器

800 Gb/s DR8的高帶寬硅光子發射器

AL53-DR8-G2發射器是一個單硅光子集成電路(PIC),包括八個并行電光100 Gb/s PAM4調制器,這些調制器被配置成一個緊湊的800 Gb/s DR8發射器。PIC設計由兩個CW輸入激光器供電,每個激光器工作在1311 nm的標稱波長下,并包括兩組一到四(1 x 4)分光器,以便每個激光器為八個PAM4調制器中的四個提供光功率,如左圖所示。

八個獨立的光調制器是差分驅動Mach-Zehnder調制器(MZM),電光3dB帶寬為40 GHz。

來自兩個激光源(左圖中的“激光器A”和“激光器B”)的光輸入信號可以經由透鏡耦合或通過保偏光纖的對接耦合插入PIC中。發射器的兩個光輸出端口(圖1中的“OutA”和“Out B”)設計用于直接對接耦合到符合G.652或G.657標準的單模光纖。

產品特點

AL53-DR8-G2發射器的主要特性總結見下表1。

表1 -AL53-DR8-G2 PIC主要特性

特性

描述

備注

整體芯片尺寸

2.985mm×5.600mm

無光纖輸出

芯片厚度

400 μm ± 5 μm

無焊線和輸出光纖


光輸入端口(2)

設計用于單模保偏光纖的直接對接耦合或CW激光器的透鏡耦合(8°角接口)

兩個片上1 x 4分光器將光分配到8個MZM


光輸出端口(8)

設計用于直接對接耦合到G.652或G.657標準單模光纖(8°角接口)

針對LBL單模光纖的耦合進行了優化

光信號偏振

TE

輸入和輸出

調制器驅動信號(Vp和Vn)


差分、直流或交流耦合

片上端接(90 Ω差分)

RF偏置電壓(Vbias)

片上添加(參見圖2)

所有調制器通用

RF直流偏置電壓(Vdd)

片上添加(參見圖3)

所有調制器通用

Mach-Zehnder偏置控制

片上熱電移相器(TOPS)

每個調制器一個

激光輸入監控探測器

兩個片上分接MPD

每個激光器一個

TX輸出監視器檢測器

三個片內抽頭MPD(兩個互補)

每個調制器

電氣端子

焊線焊盤

對于RF和低速信號

圖2 -帶監控器PD的單Mach-Zehnder調制器

MZM可通過直流耦合或交流耦合差分RF信號驅動,如圖3所示。

(a)使用AC耦合驅動信號

(b)使用DC耦合驅動信號

(c)帶集電極開路驅動器

圖3 -單個Mach-Zehnder調制器的電氣連接

Mach-Zehnder調制器的工作點由可調熱電光學移相器(TOPS)單獨控制。調制器工作點的反饋可以從每個Mach-Zehnder調制器的輸出處的兩個互補分接監控光電檢測器(分接MPD)獲得(參見左圖中的“MPD_L_n“和“MPD_R_n“)。

注意,對于每個調制器,“MPD_L_n”的陽極都在片上連接到 “MPD_R_n”的陰極。通過這種連接,可以對每對分接MPD的差分光電流進行外部監控。建議在兩個分接MPD上分別施加1 V至2 V的反向偏置電壓,以避免MPD響應飽和。

由于驅動電壓要求低且電氣帶寬高,Mach-Zehnder調制器可直接由集成驅動放大器的硅PAM4ASIC的差分輸出信號驅動,提供≥ 2.7 V p-p差分驅動電壓。不需要額外的驅動放大器。

與發射器的所有電氣連接都通過焊線進行,包括RF調制器驅動信號Vp和Vn。RF驅動信號的焊

線應盡可能短。

主要應用
  • 無縫對接現有IM-DD鏈路:產品兼容主流強度調制-直接檢測(IM-DD)架構,可直接集成于現有光模塊設計。
  • 支持LPO(低功耗光互聯):滿足數據中心對低功耗、高能效的嚴苛要求。
  • 擴展性強:技術可平滑升級至800G/通道及以上,為未來1.6Tb/s甚至更高速率預留空間。
參數

AL53-DR8-G2發射器旨在滿足400GBASE-DR8發射特性的性能要求。光學和電氣設備規格列于下表2中。

表2 -AL53-DR8-G2PIC規格


參數


單元


條件

分鐘

典型值

最大

符號率

GBd

-

53

-

對于PAM4信號

工作波長

nm

1304

-

1318

規格適用的波長范圍

電光帶寬

GHz

-

40

-

3 dB滾降頻率(無電氣預補償)

調制器消光比

dB

22

-

-

直流測量


光纖到光纖的光插入損耗(IL)


dB


-


-


17

適用于MZM最大傳輸時的每個激光輸入。包括光纖耦合、1x4分光器損耗以及所有片上損耗

任意兩條通道之間的插入損耗差

dB

-

-

1

所有輸出通道的最大值(激光輸入功率相等時)

TX輸出端口的光反射率

dB

-

?34

?27

所有8個輸出端口的最大值

MZ調制器的Vπ

V

-

6

-

直流時,采用差分驅動

RF阻抗

Ω

88

90

94

平均高達40 GHz

電回波損耗(S11)

dB

-

-

?15

最大值高達40 GHz

MZM TOPS的Vset

V

2

-

5

MZM的第一個正交點

MZM TOPS的Iset

mA

4

-

9

MZM的第一個正交點

所有TOPS的Pπ = Vπ ?Iπ

mW

-

15

-

第一個和第二個空值之間

TOPS的電阻率

Ω

550

-

610

無外加電壓

輸出分接監控光電探測器

mA/W

-

0.5

-

對于所有“MPD_L”和“MPD_R”,參考光輸入功率

輸入分接監控光電探測器

mA/W

-

0.1

-

對于“MPD_In_A”和“MPD_In_B”,參考光輸入功率

MZM互補輸出MPD的響應度

mA/W

-

60

-

對于所有“MPD_C”(參見圖2),參考光輸入功率

工作溫度范圍

°C

-5

-

75


工作相對濕度范圍(非冷凝)

%RH

5

-

85


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